ٽرانزسٽر

ٽرانزسٽر
Transistor
	; بائيپولر جنڪشن ٽرانزسٽر پيڪيجز, سائيزن جو مقابلو، بشمول (کاٻي کان ساڄي تائين): SOT-23 ۽ TO-92 ۽ TO-126 ۽ TO-3.
ھلائيندڙ	موجد: جان بارڊين، والٽر برٽين ۽ وليم شاڪلي

ٽرانزسٽر (Transistor) هڪ نيم پسرائيندڙ پرزو آهي، جيڪو بجليءَ جي طاقت ۽ سگنلن کي متحرڪ ڪرڻ يا وڌ گهٽ ڪرڻ لاء ڪتب ايندو آھي. ٽرانزسٽر هاڻوڪي دور ۾ اليڪٽرانڪس ۾ تعمير جي بنيادي سرون آھن.^[1] اهو نيم پسرائيندڙ مادن جو ٺھيل هوندو آھي ۽ عام طور تي، اليڪٽرانڪ سرڪٽ سان ٽن ڇيڙن سان ڳنڍيل هوندو آهي. ٽرانزسٽر جي ڇيڙن جي هڪ جوڙي تي لاڳو ڪيل وولٽيج يا ڪرنٽ ٻئي ڇيڙن جي جوڙي تي ڪرنٽ کي ڪنٽرول ڪندو آھي. ڇو ته برقي طاقت جو ڪنٽرول ٿيل آئوٽ پٽ (output) ڪنٽرول ٿيل ان پٽ (input) جي ڀيٽ ۾ وڌ يا گهٽ ٿي سگهي ٿو، ٽرانزسٽر برقي سگنل کي ڇڪي يا وڌائي پيش ڪري سگهندو آهي. گهڻو ڪري ڪي ٽرانزسٽر ڌار ڌار ترتيب ڏنل هوندا آھن، پر هاڻي گهڻائي ٽرانزسٽر ننڍڙي شڪل ۾ هڪ گڏيل سرڪٽ (Integrated Circuit) ۾ ترتيب ڏنل هوندا آھن. ڇو ته ٽرانزسٽر سڀني جديد اليڪٽرانڪس جا عملي طور تي اهم فعال پرزا آھن، هنن کي 20هين صدي جي سڀ کان وڏي ايجاد سمجهيو ويندو آهي.^[2]

آسٽرو۔هنگروي طبيعياتدان، جولئس ايڊگر للنفيلڊ سال 1925ع ۾ پهريون فيلڊ افيڪٽ ٽرانزسٽر (FET) جو تصور ڏنو،^[3] پر ان دور ۾ اهڙو ڪم ڪندڙ آلو ٺاهڻ ممڪن نه هو.^[4] پهريون فعال آلو هڪ "پوائنٽ ڪونٽيڪٽ ٽرانزسٽر" هو، جن کي سال 1947ع ۾ آمريڪي طبيعيات دان، جان باردين، والٽر برئٽن ۽ وليم شوڪلي ”بيل ليب“ ۾ ڪم ڪندي ايجاد ڪيو، جن جي اعتراف ۾، هنن کي سال 1956ع ۾ فزڪس ۾ نوبل انعام سان گڏيل طور نوازيو ويو.^[5] گهڻي ۾ گهڻو ڪتب ايندڙ ٽرانزسٽر جو قسم، ميٽل آڪسائيڊ نيم پسرائيندڙ فيلڊ افيڪٽ ٽرانزسٽر (MOSFET) سال 1959ع ۾ محمد عطاءالله ۽ ڊيوون ڪانگ، بيل ليب ۾ ڪم ڪندي ايجاد ڪيو.^[6]^[7]^[8]^[9]^[10]^[11] ٽرانزسٽر جي کوجنا اليڪٽرانڪس جي دنيا ۾ انقلاب برپا ڪيو آھي ۽ نت نئين ايجادن جا دُوار کوليا آھن ۽ ننڍڙي سستي ريڊيو، ڪلڪيوليٽر، ڪمپيوٽر ۽ ٻين شين جي لاءِ راھه ھموار ڪئي آھي. هاڻي ريڊيو، ٽيليويزن، آڊيو ۽ وڊيوڪئسٽ رڪارڊر، ٽيليفون، ڪمپيوٽر ۽ ٻين بيشمار اوزارن ۾ ٽرانزسٽر جو استعمال ٿئي ٿو.

ٽرانزسٽر ٺاهڻ لاء، گهڻو ڪري خالص سليڪان ۽ ڪجهه لاء خالص جرمينيم استعمال هيٺ آھن، پر ڪجهه نيم پسرائيندڙ مٽيريل پڻ استعمال هيٺ آھن. هڪ ٽرانزسٽر گهڻو ڪري، هڪ قسم جي چارج جو کڻندڙ، جهڙوڪ فيلڊ افيڪٽ ٽرانزسٽر ۾ يا ٻه قسم جي چارج جو کڻندڙ، جهڙوڪ بائي پولر جنڪشن ٽرانزسٽر م، ٿي سگهي ٿو. وئڪيوم ٽيوب جي ڀيٽ ۾ ٽرانزسٽر ننڍڙا ۽ گهٽ توانائيءَ گهرجائو هوندا آھن. ڪجهه ويڪيوم ٽيوب، بلند آپريٽنگ فريڪوئنسي يا وولٽيج تي، جهڙوڪ گائرو ترون ۽ تريولنگ ويوو تيوب، ٽرانزسٽر جي مقابلي ۾ وڌيڪ ڪارآمد آھن. گهڻا ٽرانزسٽر، مختلف ٺاهيندڙن طرفان، معياري تفصيلات جي مطابق ٺاهيا ويندا آھن.

اتهاس

ٿرمائيونڪ ٽرائيوڊ هڪ وئڪيوم ٽيوب 1907ع ۾ ايجاد ٿيو، جنهن سان ريڊيو ٽيڪنالاجي ۽ ڏور ڏيس رابطن جو دور شروع ٿيو۔ ٽرائيوڊ اصل ۾ ھڪ ناڪاره پرزو هيو، جيڪو ڪم ڪرڻ لاءِ گهڻي توانائي گهري پيو. 1909ع ۾ فزڪس جي ڄاڻوءَ وليئيم اڪليس شفاف ڊايوڊ اوسسيلئٽر دريافت ڪيو. آسٽريليئن- هنگريئن فزڪس ماهر جوليئس ايڊگر للينفليڊ 1925ع ۾ فيلڊ افيڪٽ ٽرانزسٽر تي ڪم ڪرڻ لاء ڪئنيڊا ۾ سرڪاري منظور ورتي. جيڪا ٽرايوڊ جي متبادل لاءِ ٺوس ڪوشش ھئي. للينفليڊ 1926ع ۽1928ع ۾ آمريڪا ۾ پڻ اهڙي ايجاد جي سڃاڻپ جي منظوري جي ڪوشش ورتي. جيتوڻيڪ هن پنهنجي هن کوجنا بابت ڪنهن رسالي ۾ ڪو ريسرچ پيپر بِ ڪونَ ڇپرايو ۽ نَ وري ڪنهن سماجي يا سائنسي پليٽ فارم تي ڪو اهڙي نموني جو مثال ڏنو. ڇاڪاڻ تَ شايد کيس پروڙ ھئي تَ اهڙي اوچي معيار جي سيمي ڪنڊڪٽر مٽيريئل جي کوجنا جي حاصلات اڃا ڪافي ڏهاڪا پري ئي ممڪن آھي. للينفليڊ جي ٺوس حالت واري سگنل جهٽڻي جي استعمال وارو خيال 1920ع ۽ 1930ع واري ڏهاڪن ۾ ممڪن نَ پئي ٿي سگهيو. توڙي جو هي هڪ سٺو پرزو ٺاهڻ ۾ سوڀارو بِ ٿيو جنهن ٽرانزسٽر جي ايجاد لاءِ وڏو رستو هموار ڪيو. 1934ع ۾ ھڪ جرمن فزڪس ماهر اوسڪر هيئل پڻ اهڙي نموني جو هڪ پرزو يورپ ۾ متعارف ڪرايو.

بي پولر ٽرانزسٽر

نومبر 17 (1947ع) کان 23 ڊسمبر 1947ع تائين وگيانڪن جان باردين ۽ والٽر برئٽن اي- ٽي ۽ ٽي-ايس لئب جيڪا مري هلس نيو جرسي ۾ قائم هئي ۾ ڪيترائي تجربا ڪيا تَ جڏهن جرمينيم جي مادي سان ٻ سون جا ڇيڙا گڏائجن ت هڪ سگنل پيدا ٿئي پيو جنهن جو آئوٽ پٽ پاور انپٽ کان وڌيڪ هجي پيو. نهري فزڪس جي گروپ اڳواڻ شاڪليءَ هن ۾ وهڪرو(potential) ڏٺو ۽ ڪجهه وقت بعد هنن نيم پسرائيندڙ جي روپ ۾ ٽرانزسٽر تي پنهنجو علم لڳايو. ٽرانزسٽر نانءُ جان آر پيئرس ٽرانزسٽنس جي جوڙجڪ تان کڻي کنيو. لليئن هوڊسن ۽ وڪي ڊائچ جيڪي جان باردين جي بايوڊيٽا نالي ڪتاب جا مصنف آھن تن موجب ت شاڪلي مڃو هيو ت بيل لئب جي ٽرانزسٽر جي ايجاد فيلڊ افيڪٽ جي بنياد تي هئي تنهن ڪري سندس کوجڪار کي ئي هن ايجاد جو ابو مڃڻ گهرجي. للنفليڊ جي کوجنا جيئن ت دنيا تائين ن پهتي ۽ کيس ڪيترائي سال ب گزري چڪا هئا تنهنڪري بيل ليب جي وڪيلن شاڪلي جي مخالف راء ڏني ت فيلڊ افيڪٽ ٽرانزسٽر جي خيال ڏيڻ واري برقي ميدان طور گرڊ استعمال ڪئي هئي تنهنڪري اهو خيال ڪو نئون نه هيو. ان جي بدلي شاڪلي باردين ۽ برئٽن جيڪا ايجاد 1947ع ۾ ڪئي سو ئي پهريون پوائنٽ ڪنٽيڪٽ ٽرانزسٽر هيو. ان ايجاد جي مڃتا ۾ انهن ٽنهي کي 1956ع جي فزڪس جي نوبل انعام سان نوازيو ويو جن جي ريسرچ ۽ محنت نيم پسرائيندڙ ۽ ٽرانزسٽر افيڪٽ تي برابر هئي. شاڪلي جي ٽيم پوءِ هڪ فيلڊ افيڪٽ ٽرانزسٽر جي تياريء تي ڪم ڪرڻ شروع ڪيو جيڪو نيم پسرائيندڙ جي پسرائڻ شڪتي مَٽائڻ سان ممڪن ٿي پئي سگهيو. پر اهي ڪوششون ناڪام ٿيون جرمينيم ڪوپر مرڪبن جي مٽيريئلس، لٽڪندڙ جوڙ ۽ مٿاڇري جي حالت جي سببن ڪري. فيلڊ افيڪٽ ٽرانزسٽر(FET) جي ٺھڻ جي ڪوششن ۾ هر هر ناڪام ٿيڻ جي پٺيان ڪهڙو پراسرار سبب لڪل آھي تنهن کي پرجهڻ لاءِ ڪيل ڪوششن کين بي-پولر پوائنٽ ڪنٽيڪٽ ٽرانزسٽر(Bipalar Point contact Transistor) ۽ جنڪشن ٽرانزسٽر(Junction Transistor) جي ايجاد تائين رسايو. 1948ع ۾ ھڪ پوائنٽ ڪنٽيڪٽ ٽرانزسٽر آزادانه طور جرمن فزڪس ماهرن هربرٽ مٽاري ۽ هينرچ ويلڪر ايجاد ڪيو جڏهن هو ويسٽنگن هائوس سبسيڊائري پئرس ۾ واقع نالي ڪيمپيگني ڊيس فريئنس اي ٽي سگناڪس ۾ ڪم ڪري رهيا هئا. مٽاري ان کان پهريان ٻي مهاڀاري لڙائي دوران جرمن ريڊار افيڪٽ ۽ سليڪان ۽ جرمينيئم ڪرئسٽلس جي اصلاح تي ڪيترائي تجربا ڪري چڪو هو. هن ڄاڻ کي ڪارڄ ۾ آڻيندي هن 1947ع ۾ رڪاوٽ جي لاڙي جي کوجنا تي ريسرچنگ ڪرڻ شروع ڪئي هئي. 1948ع ۾ ھن پوائنٽ ڪنٽيڪٽ مان ڪرنٽ جي وهڪري جون شاهديون حاصل ڪيون. جرمينيئم جي نمونن کي استعمال ڪندي مٽاري ڪونسٽنٽ ريزلٽ حاصل ڪري ورتي جيڪا ويلڪر مهيا ڪيا هيا. اها ئي جيڪا باردين ۽ برئٽن 1947ع ۾ گڏجي حاصل ڪئي هئي. ان ڳالھ کي سمجهندي ت بيل ليب جي وگيانڪن اڳ ئي اهڙو ٽرانزسٽر ايجاد ڪري ورتو هو. سندس ڪمپني ان جي باضابطا استعمال طرف قدم وڌايو ۽ پهريون چڪر فرانس جي ريڊيو ۽ ٽيليفون ۾ هنن ٽرانزسٽر کي استعمال ۾ آندو. اهو عرصو 13 آگسٽ 1948ع جو هو. پهريان بي پولر ٽرانزسٽر بيل ليب ۾ شاڪلي ايجاد ڪيا، جنهن انهن کي پيٽنٽ(2,569,347) تي لاڳو ڪيو، جون 26 1948ع ۾. 12 اپريل 1950ع ۾ بيل ليب جي ڪيميادانن گورڊن ٽيل ۽ مارگن اسپارڪس ڪاميابي سان هڪ ڪم ڪندڙ بي پولر NPN Junction جرمينيئم ٽرانزسٽرن کي استعمال ڪندي مهيا ڪيو. جولاء 4 1951ع ۾ بيل ليب پنهنجي هڪ پريس ڪانفرنس ۾ ھڪ نئين کوجنا نالي ٽرانزسٽر جو پڙھو ڏنو. هريون وڏي فريڪوئنسيءَ وارو ٽرانزسٽر سرفيس- بيريئر جرمينيئم ٽرانزسٽر هيو، جنهن کي 1953ع ۾ فلڪو ڊِوِلَپِ ڪيو 60 MHz تائين. اهي اصل ۾ ختم ٿيل دٻاء ۾ جرمينيئم جي N-type بنياد تي، جنهن جا پاسا Indium(III) sulfate جي تکي ڌار ايستائين جو هڪ انچ جي ڏھ ھزارين پتي جهڙا گهاٽا هئا. ۽ ان سان Indium جي برقي پليٽ جي دٻيل نموني جهڙا ڪليڪٽر ۽ اي-ميٽر. پهريون” نمونياتي“ پاڪيٽ ٽرانزسٽر ريڊيو انٽر ميٽل ڪمپني(1952ع) جنهن جو پائيڪار هربرٽ مٽاري هيو،Internationale Funkausstellung Düsseldorf طرفان ڏيکاريو ويو. 29 آگسٽ 1953ع کان 6 سيپٽمبر 1953ع تائين. پهريون پراڊڪشن پاڪيٽ ٽرانزسٽر ريڊيو Regency TR-1 آڪٽوبر 1954ع ۾ رليز ٿيو. هي هڪ جوائنٽ وينچر ريڊيو هيو انڊياناپولس ۾ ٺھيو ۽ ٽيڪساس انسٽرومينٽس آف ڊئلس پيش ڪيو. اهو هڪ پاڪيٽ سائيز ريڊيو هيو جنهن ۾ چار ٽرانزسٽر ۽ هڪ جرمينيئم جو ڊايوڊ ھيو. انڊسٽريئل ڊزائن شڪاگو فرم پينٽرن ٽيگو ۽ پيٽرٽل ڏني. هي ڇهن رنگن ۾ دستياب هيو. ٻيا ڪلر به ڪٿي ڪٿي استعمال ٿيل هئا. پهريون پراڊڪشن آل ٽرانزسٽر ڪار ريڊيو نالي موپر ماڊل HR914 ڪريسلر ڊيويلپ ڪيو ۽فلڪو ڪارپوريشنس 28 اپريل 1955ع ۾ وال اسٽريٽ جنرل ۾ اعلانيو. پهريون گڏيل مواصلاتي ٽرانزسٽر ريڊيو نالي سونيTR-63 ع1957 ۾ رليز ٿيو. جنهن ٽرانزسٽر ريڊين جي مارڪيٽ ۾ سٺو وارو وڄايو. 1960ع ۾ ان جا سڄي دنيا ۾ 7 مليئن يونٽ کَتا. پهريون ڪم لائق سليڪان ٽرانزسٽر بيل ليب وارن 26 جنوري 1954ع ۾ ڊيولپ ڪيو. پهريون وڪرو ٿيندڙ سليڪان ٽرانزسٽر ٽيڪساس انسٽريومينٽس 1954ع ۾ پيش ڪيو. اهو سڄو ڪارنامو گولڊن ٽيل نالي هڪ تجربيڪار جو هيو، جنهن خالص اعلي معياري نيم پسرائيندڙن کي وڌايو، هو پهريان بيل ليب ۾ ڪم ڪندو هيو.

ميٽل-آڪسائيڊ نيم پسرائيندڙ فيلڊ افيڪٽ ٽرانزسٽر (MOSFET) يا (MOS)

نيم پسرائيندڙ ڪمپنيون عام طور نيم پسرائيندڙ صنعت ۾ جنڪشن ٽرانزسٽرن تي ڪم ڪنديون هيون. جيتوڻيڪ جنڪشن ٽرانزسٽر هڪ ڏکيو ۽ گڏيل مواصلاتي طور ٺاهڻ ۾ بِ ڏکيو آلو هو. ڪيترن ئي ايپليڪيشنن ۾ ھن جو گهٽ استعمال يقيني هو. برقي وهڪري طور فيلڊ افيڪٽ ٽرانزسٽر جنڪشن ٽرانزسٽرن جا متبادل هئا. پر ريسرچرن فيلڊ افيڪٽ ٽرانزسٽرن جو لاڀ مڪمل نموني نه پئي ورتو. ڇاڪاڻ ت کين مٿاڇري جي حالت جي بيريئر منجهايو ٿي جنهن ٻاهرين برقي ميدان کان ڀاڄ ٿي کاڌي مٽيريئل جي گسجڻ سبب.

1950ع ۾ مصري ڄائي انجنيئر ۽ وگيانڪ محمد اطالا بيل ليب ۾ ڪم ڪندي سليڪان نيم پسرائيندڙ جا مٿاڇراتي ڀاڱا ڳولي لڌا، جنهن کان پوءِ هن نيم پسرائيندڙ ڊيوائيس فيبريڪيشن جو نئون طريقو متعارف ڪرايو، هن ڏسيو ت َ”سليڪان آڪسائيڊ جي ڪنهن مادي کي سليڪان جي تھ سان ويڙهڻ سان بجلي سواءِ رڪاوٽ جي هيٺئين پسرائيندڙ ۾ ستت منتقل ٿيندي، ان مٿاڇراتي حالت تي قابو پائيندي، جنهن بجليءَ کي نيم پسرائيندڙ جي تھ تائين پهچڻ کان روڪيو ٿي.“ اهاخاصيت ”مٿاڇراتي گذرگاھ“ چَوِرائيندي آھي. هي هڪ اهڙو طريقو آھي جيڪو نيم پسرائيندڙ صنعت ۾ بحث جو موضوع بڻيو، جنهن پوءِ جهجهي مقدار ۾ سليڪان انٽيگريٽڊ سرڪٽن(IC) جي پيداوار ۽ واهپي ۾ واڌ آندي. هن پنهنجون کوجنائون 1957ع ڌاري پڌريون ڪيون. مٿاڇراتي گذرگاھ ٺاهيندي هن ميٽل آڪسائيڊ سيمي ڪنڊڪٽر پراسيس ڊولپ ڪئي. هن ڏسيو تَ ميٽل آڪسائيڊ سيمي ڪنڊڪٽر پراسيس پهريون ڪتب ايندڙ فيلڊ افيڪٽ ٽرانزسٽر ٺھڻ ۾ مدد ڏيندي، جنهن تي هن پنهنجي ڪوريائي وگيانڪ دوست داوان ڪاهانگ سان گڏ ڪم ڪيو ٿي. ميٽل آڪسائيڊ سيمي ڪنڊڪٽر فيلڊ افيڪٽ ٽرانزسٽر محمد اطالا ۽ سندس ساٿي وگيانڪ ڊاون ڪهنگ 1959ع ۾ ايجاد ڪيو. اهو ئي اهو پرزو هو، جو جهجي مقدار ۾ پنهنجي وڏي اسڪيل ايبلٽي، گهٽ توانائي خرچ ڪندڙ صلاحيت، بي پولر جنڪشن جي ڀيٽ ۾ وڌيڪ ٺوس جسامت ۽ شين کي ننڍڙي شڪل ۾ ٺاهڻ جي ٽيڪنالاجيڪل واهپي لائق بڻيو. ۽ پڻ ھي سخت جسامت انٽيگريٽڊ سرڪٽن جي ٺھڻ ۾ مددگار ثابت ٿيو ۽ 10,000 ٽرانزسٽرن کي هڪ IC ۾ مٽائڻ ۾ پڻ مدگار ٿيو. 1963ع ۾ CMOS(complementary MOS) چي ٽانگ شا ۽ فرينڪ وانلاس فيئر چائلڊ سيمي ڪنڊڪٽر ۾ ايجاد ڪيو. پهريون ترندڙ دوار ميٽل آڪسائيڊ سيمي ڪنڊڪٽر فيلڊ افيڪٽ ٽرانزسٽر Dawn kahng ۽ Simon Szi 1967ع ۾ ايجاد ٿيڻ جو خبرون آيون. ڊبل گيٽ (Mosfet) پهريون چڪر 1984ع ۾ ” اليڪٽروٽيڪنيڪل لئبارٽري رسرچرز“ توشيهرو سيڪيگاوا ۽ يوتاڪا هياشي متعارف ڪرايو. fin field-effect transistor جيڪو 3D non-planar multi-gate MOSFET جو هڪ نمونو ئي هيو ڊگ هسماٽو ۽ سندس ٽيم جي محنت سبب اڀري نڪتو، هچاچي سينٽرل ريسرچ لئبارٽريءَ ۾ 1989ع ۾.

اهميت

ٽرانزسٽر عملي ۽ هاڻوڪي اليڪٽرانڪس جا چاٻيءَ جيترا اهم جزا آھن. ڪافي کوجناڪار کين 20 صديءَ جي وڏي ۾ وڏي کوجنا کوٺين ٿا. ميٽل آڪسائيڊ سيمي ڪنڊڪٽر فيلڊ افيڪٽ ٽرانزسٽر جنهن کي(MOS) ٽرانزسٽر بِ ڪوٺبو آھي، گهڻو ڪتب ايندڙ ۽ جديد مواصلاتي ٽيڪنالاجيءَ کي پاڻ ۾ جوڙيندڙ پرزو آھي، جنهن جو سمارٽ فون ۽ ڪمپيوٽرن ۾ جهجهو واهپو ٿي رهيو آھي. هن کي هاڻوڪي اليڪٽرنڪس ٽيڪنالاجيءَ جو ڄم چئجي تَ ڪو وڌاءُ ناهي. هن کي ڊجيٽل دور جو سرچشمو بِ ڪوٺي سگهجي ٿو. آمريڪي تجارتي آفيس کيس ميدان ٻهاريندڙ ايجاد ڪوٺيو. جنهن ڄڻ تَ زندگي ۽ ڪلچر کي ئي گڏائي ڇڏيو آھي. ٽرانزسٽر عملي ۽ هاڻوڪي اليڪٽرانڪس جا چاٻيءَ جيترا اهم جزا آھن. ڪافي کوجناڪار کين 20 صديءَ جي وڏي ۾ وڏي کوجنا کوٺين ٿا. ميٽل آڪسائيڊ سيمي ڪنڊڪٽر فيلڊ افيڪٽ ٽرانزسٽر جنهن کي ميٽل آڪسائيڊ سيمي ڪنڊڪٽر ٽرانزسٽر بِ ڪوٺبو آھي، گهڻو ڪتب ايندڙ ۽ جديد مواصلاتي ٽيڪنالاجيءَ کي پاڻ ۾ جوڙيندڙ پرزو آھي، جنهن جو سمارٽ فون ۽ ڪمپيوٽرن ۾ جهجهو واهپو ٿي رهيو آھي. هن کي هاڻوڪي اليڪٽرنڪس ٽيڪنالاجيءَ جو ڄم چئجي تَ ڪو وڌاءُ ناهي. هن کي ڊجيٽل دور جو سرچشمو بِ ڪوٺي سگهجي ٿو. آمريڪي تجارتي آفيس کيس ميدان ٻهاريندڙ ايجاد ڪوٺيو. جنهن ڄڻ تَ زندگي ۽ ڪلچر کي ئي گڏائي ڇڏيو آھي. سندس اهميت هن تيز رفتار دور جي ترقي ۽ گڏيل بنياد تي سستن مٽيريئلن جي هر فرد تائين رسائيءَ مان ڏسي سگهجي ٿي جيڪي سستي قيمتن ۾ ھر ماڻھوءَ جي پهچ لائق آھن. MOSFETs تمام گهڻو ڪتب ايندڙ ۽ وڪرو ٿيندڙ مصنوعات آھن، 2018ع جي هڪ محتاط اندازي موجب 13 Sextrillion ٽرانزسٽر ٺھيا. پهريون ٽرانزسٽر جيڪو بيل بيل لئب ۾ ايجاد ٿيو، تنهن کي 2009ع ۾ IEEE Milestone جو نانءُ ڏنو ويو، هن فهرست ۾ 1948ع ۾ ايجاد ٿيل جنڪشن ٽرانزسٽر ۽ MOSFET جيڪو 1950ع ۾ ايجاد ٿيو، شامل آھن. جيتوڻيڪ مٽ مٽ ڪمپنيون هرسال مٽ مٽ پيڪيج(discrete) بليئن جي تعداد ۾ متعارف ڪرائينديون رهن ٿيون، انهن مان گهڻن جو تعداد هاڻي آئي-سي(IC) ۾ هجي ٿو جيڪو مشتمل هوندو آھي، ڊايوڊ، ريزسٽرس، ڪيپسٽرس ۽ ٻين اليڪٽرانڪس جزن تي هڪ مڪمل ۽ ڪم ڪندڙ برقي سرڪٽ جي تڪميل لاءِ. ايڊوانس مائڪرو پراسيسر ۾ 20 ٽرانزسٽر ڪم آيل هوندا آھن جن کي(Logic gate) سڏبو آھي. 2009ع جي اندازي موجب 3 بليئن(MOSFETs) ٽرانزسٽر ڪتب آڻجي سگهجيا. 2002ع ۾ ڌرتيءَ جي گولي تي وسندڙ ھر ماڻھو، ٻار توڙي نارين جي آباديءَ جيترا 60 مليئن ٽرانزسٽر ٺاهيا ويا. ميٽل آڪسائيڊ نيم پسرائيندڙ ٽرانزسٽر اتهاس جو گهڻي ۾ گهڻو ٺاهيو ويندڙ ٽرانزسٽر آھي. 2013ع موجب بليئنن جي انگ ۾ ھر ڏينهن ٽرانزسٽر ٺھن ٿا. انهن مان گهڻو انگ(MOSFETs) ٽرانزسٽرن جو هوندو آھي. 1960ع کان 2018ع تائين 13 سيڪسٽريليئن(MOS) ٽرانزسٽر ٺھي چڪا آھن، جيڪو انگ مڙني ٽرانزسٽرن جو 99.9% آھي. ٽرانزسٽر جي گهٽ ملھ، لچڪ ۽ ننڍڙي هر جڳھ کڄڻ جهڙي شڪل ۽ ڀروسي جوڳيت کيس هر دل عزيز ۽ هر جاءِ موجود شيءِ ۽ پهچ لائق بڻائي ٿي. ٽرانزسٽرائيزڊ مڪيٽرانڪس سرڪٽن اليڪٽرومڪينيڪل اوزارن جي جاءِ والاري ورتي آھي، مشينريءَ کي لاڳو ڪرڻ ۽ ضابطي آڻڻ لاءِ. ٽرانزسٽر ڪمپيوٽر پروگرام لکڻ ۽ ايڊوانس مائروڪنٽرولرن کي ڪم آڻڻ سولو بڻائي ڇڏيو آھي مڪينيڪل سرشتي جي يا اهڙن ٻين اوزارن يا انهن جي ڊزائينن کي ضابطي ۾ آڻڻ جي ڀيٽ ۾.

سولڙو آپريشن

وئڪيوم ٽيوب سان ڀيٽ

قسم

ٽرانزسٽر جي حصن جي نمبرن جي تفصيل

جوڙجڪ

پڻ ڏسو

ٻاهريان ڳنڍڻا

Wikibooks has a book on the topic of

ٽرانزسٽر

BBC: Building the digital age photo history of transistors
The Bell Systems Memorial on Transistors
IEEE Global History Network, The Transistor and Portable Electronics. All about the history of transistors and integrated circuits.
This Month in Physics History: November 17 to December 23, 1947: Invention of the First Transistor. From the American Physical Society
Transistor | Definition & Uses | Britannica "Transistor" at Encyclopædia Britannica

حوالا

↑ "Transistor". Britannica. حاصل ڪيل January 12, 2021.
↑ "A History of the Invention of the Transistor and Where It Will Lead Us" (PDF). IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS Vol 32 No 12.
↑ "Patent 272437 Summary". Canadian Patents Database.
↑ "1926 – Field Effect Semiconductor Device Concepts Patented". Computer History Museum. وقت March 22, 2016 تي اصل کان آرڪائيو ٿيل. حاصل ڪيل March 25, 2016. Unknown parameter |url-status= ignored (مدد)
↑ "The Nobel Prize in Physics 1956". Nobelprize.org. Nobel Media AB. وقت December 16, 2014 تي اصل کان آرڪائيو ٿيل. حاصل ڪيل December 7, 2014. Unknown parameter |url-status= ignored (مدد)
↑ Huff, Howard; Riordan, Michael (2007-09-01). "Frosch and Derick: Fifty Years Later (Foreword)". The Electrochemical Society Interface 16 (3): 29. doi:10.1149/2.F02073IF. ISSN 1064-8208. https://iopscience.iop.org/article/10.1149/2.F02073IF.
↑ Frosch, C. J.; Derick, L (1957). "Surface Protection and Selective Masking during Diffusion in Silicon" (en ۾). Journal of the Electrochemical Society 104 (9): 547. doi:10.1149/1.2428650. https://iopscience.iop.org/article/10.1149/1.2428650.
↑ KAHNG, D. (1961). "Silicon-Silicon Dioxide Surface Device". Technical Memorandum of Bell Laboratories: 583–596. doi:10.1142/9789814503464_0076. ISBN 978-981-02-0209-5. https://doi.org/10.1142/9789814503464_0076.
↑ Lojek, Bo (2007). History of Semiconductor Engineering. Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag Berlin Heidelberg. p. 321. ISBN 978-3-540-34258-8.
↑ Ligenza, J.R.; Spitzer, W.G. (1960). "The mechanisms for silicon oxidation in steam and oxygen" (en ۾). Journal of Physics and Chemistry of Solids 14: 131–136. doi:10.1016/0022-3697(60)90219-5. Bibcode: 1960JPCS...14..131L. https://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/0022369760902195.
↑ Lojek, Bo (2007). History of Semiconductor Engineering. Springer Science & Business Media. p. 120. ISBN 9783540342588.

[1] "Transistor". Britannica. حاصل ڪيل January 12, 2021.

[auto12-2] "A History of the Invention of the Transistor and Where It Will Lead Us" (PDF). IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS Vol 32 No 12.

[3] "Patent 272437 Summary". Canadian Patents Database.

[4] "1926 – Field Effect Semiconductor Device Concepts Patented". Computer History Museum. وقت March 22, 2016 تي اصل کان آرڪائيو ٿيل. حاصل ڪيل March 25, 2016. Unknown parameter |url-status= ignored (مدد)

[5] "The Nobel Prize in Physics 1956". Nobelprize.org. Nobel Media AB. وقت December 16, 2014 تي اصل کان آرڪائيو ٿيل. حاصل ڪيل December 7, 2014. Unknown parameter |url-status= ignored (مدد)

[:0-6] Huff, Howard; Riordan, Michael (2007-09-01). "Frosch and Derick: Fifty Years Later (Foreword)". The Electrochemical Society Interface 16 (3): 29. doi:10.1149/2.F02073IF. ISSN 1064-8208. https://iopscience.iop.org/article/10.1149/2.F02073IF.

[7] Frosch, C. J.; Derick, L (1957). "Surface Protection and Selective Masking during Diffusion in Silicon" (en ۾). Journal of the Electrochemical Society 104 (9): 547. doi:10.1149/1.2428650. https://iopscience.iop.org/article/10.1149/1.2428650.

[8] KAHNG, D. (1961). "Silicon-Silicon Dioxide Surface Device". Technical Memorandum of Bell Laboratories: 583–596. doi:10.1142/9789814503464_0076. ISBN 978-981-02-0209-5. https://doi.org/10.1142/9789814503464_0076.

[9] Lojek, Bo (2007). History of Semiconductor Engineering. Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag Berlin Heidelberg. p. 321. ISBN 978-3-540-34258-8.

[10] Ligenza, J.R.; Spitzer, W.G. (1960). "The mechanisms for silicon oxidation in steam and oxygen" (en ۾). Journal of Physics and Chemistry of Solids 14: 131–136. doi:10.1016/0022-3697(60)90219-5. Bibcode: 1960JPCS...14..131L. https://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/0022369760902195.

[Lojek1202-11] Lojek, Bo (2007). History of Semiconductor Engineering. Springer Science & Business Media. p. 120. ISBN 9783540342588.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

[10]

[11]